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三星量产 1TB 闪存芯片

发布时间:  浏览: 次  作者:国贸新闻在线
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三星电子近日宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品,主力用于智能手机。

性能方面,支持UFS2.1规范,连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58KIOPS、随机写入为50KIOPS。三星称,随机速度的提升有助于手机相机表现,比如拍摄960帧慢动作视频。

国贸新闻头条-专注最新资讯的门户网站-gmdnc.com据介绍,1TB可存储260段10分钟长度的4K分辨率短视频,而64GB只能存储13段。规格方面,芯片封装大小为11.5mmx 13mm,内部有16颗512GbV-NAND(第五代)堆栈组成。

三星量产 1TB 闪存芯片

三星表示,将在位于Pyeongtaek(平泽市)的工厂加大512GBeUFS闪存芯片的产能,以满足2019年上半年市场的强烈需求。

2017年11月,三星宣布量产单芯片容量512GB的eUFS闪存,次年旗舰则搭配该闪存。

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